ESH1DHE3_A/I list
specifikace ESH1DHE3_A/I
Part Number : ESH1DHE3_A/I
Výrobce : Vishay Semiconductor Diodes Division
Popis : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Série : Automotive, AEC-Q101
Stav části : Active
Typ diod : Standard
Napětí - DC reverzní (Vr) (Max) : 200V
Proud - průměrný rektifikovaný (Io) : 1A
Napětí - vpřed (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 1A
Rychlost : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Doba zpětného obnovení (trr) : 25ns
Proud - reverzní únik @ Vr : 1µA @ 200V
Kapacita @ Vr, F : 25pF @ 4V, 1MHz
Typ montáže : Surface Mount
Balíček / Případ : DO-214AC, SMA
Balík zařízení pro dodavatele : DO-214AC (SMA)
Provozní teplota - křižovatka : -55°C ~ 175°C
Hmotnost : -
Stav : Nové a originální
Záruka kvality : 365 dní záruka
Sklad Resource : Franšízovaná Distributor / Výrobce Direct
Země původu : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Typové označení
Vnitřní Part Number
AX-ESH1DHE3_A/I
Stručný popis
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Stav RoHS
Bezolovnaté / V souladu s normou RoHS
Čas doručení
1-2 dny
dostupné množství
2650825 Kousky
referenční cena
Naše cena
- (prosím, kontaktujte nás za lepší cenu: [email protected])
- AX Semiconductor mají ESH1DHE3_A/I na skladě k prodeji.
- Lodní možnosti a lodní čas:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- Možnosti platby:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
Související produkty pro ESH1DHE3_A/I Vishay Semiconductor Diodes Division
| Part Number | Značka | Popis | Koupit |
|---|---|---|---|
| Intel | IC CPLD 512MC 10NS 208QFP | ||
| Intel | IC CPLD 128MC 5NS 144TQFP | ||
| Lattice Semiconductor Corporation | IC CPLD 256MC 6.5NS 208QFP | ||
| Intel | IC CPLD 512MC 12NS 208QFP | ||
| Intel | IC CPLD 980MC 6.2NS 256FBGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 10.8NS 324BGA | ||
| Intel | IC CPLD 256MC 5.5NS 100FBGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 7.1NS 324FBGA | ||
| Intel | IC CPLD 512MC 5.5NS 256FBGA | ||
| Intel | IC CPLD 256MC 10NS 208QFP |